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Intel s'oriente vers le sans plomb... |
Actualité publiée par madalx le Mercredi 23 Mai 2007 |
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Intel Corporation a annonc� aujourd’hui que ses futurs microprocesseurs seraient totalement sans plomb, � commencer par toute la famille de ses prochaines puces grav�es en 45 nanom�tres et dot�es de transistors aux portes compos�es d’un mat�riau � forte constante di�lectrique (mat�riau � high-k �). Il s’agit de la prochaine g�n�ration des processeurs Intel Core� 2 Duo, Core 2 Quad et Xeon, dont la production d�butera au second semestre de cette ann�e.
Nasser Grayeli, Vice President d’Intel charg� du Technology & Manufacturing Group et Director of Assembly Test Technology Development d�clare: � Intel adopte une d�marche volontaire en faveur du d�veloppement durable, de l’�limination du plomb dans la composition de ses produits et � une rationalisation de leur consommation �lectrique jusqu’� une r�duction de ses �missions atmosph�riques et un plus important recyclage de l’eau et des mat�riaux employ�s. �
Rappelons qu’une certaine quantit� de plomb �tait jusqu’ici pr�sente dans divers conditionnements micro�lectroniques (bo�tiers, cartouches, etc.) ainsi que dans les � bumps � des puces d’Intel, c’est-�-dire les contacts qui les solidarisent de ce conditionnement, celui-ci �tant lui-m�me fix� sur la carte m�re des ordinateurs. Selon le cr�neau cibl� (PC de bureau, PC portables, serveurs, etc.), le conditionnement des processeurs est d’un type diff�rent : PGA (Pin Grid Array) � matrice de broches, BGA (Ball Grid Array) � matrice de billes ou encore LGA (Land Grid Array) � matrice de pastilles (plots). Or, dans le cadre du proc�d� de fabrication � high-k � en 45 nm, tous seront enti�rement d�pourvus de plomb. D�s 2008, Intel fabriquera par ailleurs �galement en sans-plomb ses jeux de composants (chipsets) 65 nm.
Les processeurs 45 nm d’Intel ne seront pas seulement sans plomb ; ils exploiteront aussi des mat�riaux � forte permittivit� qui r�duiront les fuites de courant au niveau de leurs transistors et qui les rendront ainsi plus �conomes en �nergie et plus performants. Le proc�d� de fabrication � high-k � en 45 nm fait en effet appel � une troisi�me g�n�ration de silicium dit � �tir� �, qui, gr�ce � des di�lectriques � forte permittivit�, augmente le courant d’attaque et abaisse la capacitance des interconnexions.
Concr�tement, la famille des processeurs 45 nm � high-k � d’Intel donnera � terme naissance � des PC de bureau, des PC portables, des objets nomades communicants et des serveurs plus compacts et plus �conomes en �nergie. Pour remplacer les 5 % de plomb (environ 0,02 gramme) restant dans les soudures des interconnexions de premier niveau (soudures qui relient la matrice de silicium au substrat de son conditionnement), Intel fera appel � un alliage compos� d’�tain, d’argent et de cuivre qui remplacera les soudures �tain-plomb constituant jusque-l� l’� ingr�dient secret � de ses puces. A cause de la complexit� structurelle de ces interconnexions dans le cadre des puces les plus �volu�es d’Intel, la suppression du reliquat de plomb et le passage � un nouvel alliage pour les soudures ont n�cessit� d’importantes �tudes. |
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