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Intel s'oriente vers le sans plomb... |
| Actualité publiée par madalx le Mercredi 23 Mai 2007 |
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Intel Corporation a annoncé aujourd’hui que ses futurs microprocesseurs seraient totalement sans plomb, à commencer par toute la famille de ses prochaines puces gravées en 45 nanomètres et dotées de transistors aux portes composées d’un matériau à forte constante diélectrique (matériau « high-k »). Il s’agit de la prochaine génération des processeurs Intel Core™ 2 Duo, Core 2 Quad et Xeon, dont la production débutera au second semestre de cette année.
Nasser Grayeli, Vice President d’Intel chargé du Technology & Manufacturing Group et Director of Assembly Test Technology Development déclare:
« Intel adopte une démarche volontaire en faveur du développement durable, de l’élimination du plomb dans la composition de ses produits et à une rationalisation de leur consommation électrique jusqu’à une réduction de ses émissions atmosphériques et un plus important recyclage de l’eau et des matériaux employés. »
Rappelons qu’une certaine quantité de plomb était jusqu’ici présente dans divers conditionnements microélectroniques (boîtiers, cartouches, etc.) ainsi que dans les « bumps » des puces d’Intel, c’est-à-dire les contacts qui les solidarisent de ce conditionnement, celui-ci étant lui-même fixé sur la carte mère des ordinateurs.
Selon le créneau ciblé (PC de bureau, PC portables, serveurs, etc.), le conditionnement des processeurs est d’un type différent : PGA (Pin Grid Array) à matrice de broches, BGA (Ball Grid Array) à matrice de billes ou encore LGA (Land Grid Array) à matrice de pastilles (plots). Or, dans le cadre du procédé de fabrication « high-k » en 45 nm, tous seront entièrement dépourvus de plomb. Dès 2008, Intel fabriquera par ailleurs également en sans-plomb ses jeux de composants (chipsets) 65 nm.
Les processeurs 45 nm d’Intel ne seront pas seulement sans plomb ; ils exploiteront aussi des matériaux à forte permittivité qui réduiront les fuites de courant au niveau de leurs transistors et qui les rendront ainsi plus économes en énergie et plus performants.
Le procédé de fabrication « high-k » en 45 nm fait en effet appel à une troisième génération de silicium dit « étiré », qui, grâce à des diélectriques à forte permittivité, augmente le courant d’attaque et abaisse la capacitance des interconnexions.
Concrètement, la famille des processeurs 45 nm « high-k » d’Intel donnera à terme naissance à des PC de bureau, des PC portables, des objets nomades communicants et des serveurs plus compacts et plus économes en énergie.
Pour remplacer les 5 % de plomb (environ 0,02 gramme) restant dans les soudures des interconnexions de premier niveau (soudures qui relient la matrice de silicium au substrat de son conditionnement), Intel fera appel à un alliage composé d’étain, d’argent et de cuivre qui remplacera les soudures étain-plomb constituant jusque-là l’« ingrédient secret » de ses puces. A cause de la complexité structurelle de ces interconnexions dans le cadre des puces les plus évoluées d’Intel, la suppression du reliquat de plomb et le passage à un nouvel alliage pour les soudures ont nécessité d’importantes études. |
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