Dans un communiqué de presse daté de ce jour, IBM, Qimonda (que vous connaissez mieux sous le nom de Infineon) et Macronix ont annoncé avoir mis au point un nouveau prototype de mémoire à changement de phase qui d’après eux pourrait remplacer la mémoire flash. Il s’agit donc d’une mémoire PRAM (Phase-change Random Access Memory) qui comme la mémoire flash, ne nécessite pas d’être alimentée pour conserver les données.
Après deux années de travaux sur cette technologie, IBM et ses partenaires annoncent aujourd’hui que la mémoire qu’ils ont mis au point est 500 fois plus rapide qu’une mémoire flash tout en consommant deux fois moins d’énergie. Autre avantage, elle peut être gravée en 22nm et même moins alors la mémoire flash se limite à 45nm.
Cette mémoire sera présentée lors de l’International Electron Devices Meeting 2006 qui se déroulera cette semaine à San Francisco.
- Pour en savoir plus sur PRAM, vous pouvez consulter ce guide réalisé par nos confrères de Presence-PC.
- Cliquez ici, pour lire le communiqué de presse de Qimonda.