Du 45nm chez IBM et ses partenaires

IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon et Samsung ont annoncé mardi leur première puce fonctionnelle gravée en 45nm. Ces 4 entreprises suivent Intel qui avait fait une démonstration similaire en janvier dernier sur une puce de SRAM.

L’annonce ne spécifie pas exactement la nature de cette nouvelle puce, mais indique que ce kit de conception ouvre les portes de la production en 45nm aux partenaires d’IBM, Chartered, Infineon and Samsung. La coopération entre ces quatre entreprises montre bien a quel point le coût des recherches dans ce domaine est croissant. Les quatre espèrent pouvoir produire des wafers de 300mm d’ici la fin 2007 et entamer la production de masse pour 2008.

Rappelons qu’une telle technologie présente un double avantage. Tout d’abord, elle permet de produire plus de puces sur un seul wafer (tranche très fine de silicium, sur laquelle on grave des millions de transistors et donc plusieurs puces) ce qui a  pour conséquence de réduire les coûts de production et le prix de vente des produits.
Ensuite, une gravure plus fine diminue l’écart entre chaque transistor et par conséquent la résistance électrique se formant à ce niveau. Ainsi, plus la gravure est fine, plus la tension d’alimentation du composant sera basse. Avec une tension plus basse, les puces fabriquées en 45nm chaufferont donc beaucoup moins que les modèles actuels. 

C’est là que sont les deux enjeux de cette course à la gravure toujours plus fine qu’IBM et ses partenaires viennent de remporter 6 mois après Intel.

Source: tgdaily