AMD et IBM: gravure en 45nm pour mi-2008

A l’occasion du forum IEDM (International Electron Device Meeting), IBM et AMD ont pr�sent� leur projet portant sur l’utilisation d’une lithogravure en immersion, des di�lectriques d’interconnexion � ultra-low k � et de plusieurs technologies de contrainte de transistors perfectionn�es destin�es � la fabrication de microprocesseurs grav�s en 45 nm. Selon AMD et IBM, les premiers produits r�alis�s dans cette technologie devraient �tre disponibles d’ici mi-2008.

� Nous sommes les premiers fabricants de microprocesseurs � annoncer l’utilisation des techniques de lithogravure en immersion et de di�lectriques d’interconnexion � ultra-low k � pour la technologie de 45 nm et demeurons � ce titre � la pointe de l’innovation pour la technologie de fabrication de microprocesseurs �, confie Nick Kepler, Vice-pr�sident, Logic Technology Development d’AMD. � La lithogravure en immersion nous permet d’am�liorer la d�finition de la conception des microprocesseurs et d’homog�n�iser leur fabrication, ce qui nous permettra de fournir � nos clients des produits extr�mement sophistiqu�s. Les di�lectriques d’interconnexion � ultra-low k � am�lioreront le rapport performances/watt dont b�n�ficient nos microprocesseurs et l’ensemble de nos clients. Cette annonce confirme un partenariat fort, nou� entre IBM et AMD dans le domaine de la recherche et du d�veloppement �.

La technologie actuelle de fabrication utilise un proc�d� de lithogravure classique, extr�mement limit� dans la d�finition du design des microprocesseurs au-del� de 65 nm. La lithogravure en immersion utilise un liquide transparent pour remplir les espaces entre la lentille optique de projection utilis�e dans le syst�me de lithogravure � r�p�tition (step-and-repeat) et la tranche de silicium qui contient des centaines de microprocesseurs. Cette perc�e majeure dans le domaine de la lithogravure assure une pr�cision accrue et une fid�lit� d’image sup�rieure qui am�liorent les performances du circuit et de la productivit�. Cette technique d’immersion apportera � AMD et IBM des avantages en termes de fabrication par rapport aux entreprises concurrentes qui ne sont pas en mesure de d�velopper un processus de lithogravure en immersion op�rationnel pour produire des microprocesseurs en traits de 45 nm. � titre d’exemple, les performances d’une cellule SRAM enregistrent une am�lioration d’environ 15% gr�ce � cette nouvelle technologie, sans recourir aux techniques de double exposition nettement plus on�reuses.

De plus, l’utilisation de di�lectriques poreux � ultra-low k � pour r�duire la capacit� des interconnexions et le d�lai de transport des �lectrons constitue une �tape majeure pour l’am�lioration des performances des microprocesseurs, ainsi que pour r�duire la dissipation de puissance. Cette am�lioration est obtenue gr�ce � l’int�gration du processus � ultra-low k � qui r�duit la constante di�lectrique des di�lectriques d’interconnexion tout en maintenant sa r�sistance m�canique. L’utilisation d’interconnexions � ultra-low k � permet de r�duire de 15% les d�lais de transport des �lectrons par rapport aux di�lectriques � low k � classiques.

� L’introduction de la lithogravure en immersion et de di�lectriques d’interconnexion � ultra-low k � en technologie de 45 nm illustre le succ�s remport� par les transferts de technologie r�alis�s entre les recherches de pointe men�es au Centre Nanotech d’Albany et la ligne de fabrication et de d�veloppement 300 mm dont dispose IBM � East Fishkill dans l’Etat de New York, ainsi que l’usine de fabrication 300 mm d’AMD � Dresde en Allemagne �, d�clare Gary Patton, Vice-President, Technology Development, Semiconductor Research & Development Center d’IBM. � L’int�gration de technologies de pointe avec AMD et nos partenaires d�montre la puissance de notre mod�le d’innovation bas� sur la collaboration �.

Les progr�s permanents enregistr�s par les techniques de contrainte de transistors d’AMD et d’IBM ont permis d’am�liorer de fa�on r�guli�re les performances des transistors tout en surmontant les probl�mes d’�volutivit� li�s aux g�om�tries utilis�es lors de la migration vers les fili�res de 45 nm. Malgr� l’augmentation de la densit� des transistors de g�n�ration 45 nm, IBM et AMD ont enregistr� une augmentation de 80% du courant de commande des transistors par canal P et de 24% du courant de commande des transistors par canal N par rapport aux transistors non contraints. Ce r�sultat assure les performances CMOS les plus �lev�es obtenues � ce jour en technologie de 45 nm.

IBM et AMD collaborent au d�veloppement de technologies de fabrication de semiconducteurs de nouvelle g�n�ration depuis janvier 2003. En novembre 2005, les deux soci�t�s ont annonc� l’extension de leur programme de d�veloppement joint jusqu’� 2011, englobant les technologies de fabrication en traits de 32 et de 22 nm.

Source: communiqu� de presse